홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » DRDPB26W-7

Diodes Incorporated DRDPB26W-7

DRDPB26W-7
제조업체 부품 번호
DRDPB26W-7
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
데이터 시트 다운로드
다운로드
DRDPB26W-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 122.31633
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DRDPB26W-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DRDPB26W-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DRDPB26W-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DRDPB26W-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DRDPB26W-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DRDPB26W-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DRDzzzzW
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 16/Sept/2008
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨 + 다이오드
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)600mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)220
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)4.7k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce47 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름DRDPB26WDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DRDPB26W-7
관련 링크DRDPB2, DRDPB26W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DRDPB26W-7 의 관련 제품
MOSFET N-CH 4VSON IPL65R660E6AUMA1.pdf
RES SMD 226 OHM 0.1% 1/10W 0603 RT0603BRE07226RL.pdf
KCD2S2 kcd 5X7 KCD2S2.pdf
MWT0618-H4N2 MWT SMD or Through Hole MWT0618-H4N2.pdf
794121-1 TYCO con 794121-1.pdf
T60H506T00 ORIGINAL QFN T60H506T00.pdf
FAN2513S28X TEL:82766440 FAIRCHILD SMD or Through Hole FAN2513S28X TEL:82766440.pdf
LT1251ACSW LT SOP-16 LT1251ACSW.pdf
MN9807MA1-V2 NA/ SOP MN9807MA1-V2.pdf
TS2431AC TSC TO-92 TS2431AC.pdf
415M327 32.768 EPSON SMD or Through Hole 415M327 32.768.pdf