창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DRDNB26W-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DRDzzzzW | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어싱됨 + 다이오드 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 600mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 220 | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 4.7k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DRDNB26WDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DRDNB26W-7 | |
관련 링크 | DRDNB2, DRDNB26W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
VS-10ETF12S-M3 | DIODE RET 1200V 10A D2PAK | VS-10ETF12S-M3.pdf | ||
T92P11F22-24-01 | RELAY GEN PURP | T92P11F22-24-01.pdf | ||
ERJ-6DQF6R8V | RES SMD 6.8 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-6DQF6R8V.pdf | ||
MOC3803 | MOC3803 FSC DIP-6 | MOC3803.pdf | ||
CSBF1200J-TC01 | CSBF1200J-TC01 MURATA SMD or Through Hole | CSBF1200J-TC01.pdf | ||
SC269 | SC269 PLESSEY DIP8 | SC269.pdf | ||
HSMCJ28A | HSMCJ28A Microcommercialcomponents DO-214AB | HSMCJ28A.pdf | ||
SM6102S | SM6102S NPC SOP | SM6102S.pdf | ||
BZM55B18 | BZM55B18 VISHAY DO-213AB | BZM55B18.pdf | ||
lt1071cn | lt1071cn lt dip-8 | lt1071cn.pdf | ||
EUP3408-1.8OIR1 . | EUP3408-1.8OIR1 . EUTECH SOT23-5 | EUP3408-1.8OIR1 ..pdf | ||
N0076767 | N0076767 OTHER SMD or Through Hole | N0076767.pdf |