창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DRDN010W-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DRDzzzzW | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 | |
카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN + 다이오드(절연) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 18V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1µA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DRDN010W7 DRDN010WDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DRDN010W-7 | |
관련 링크 | DRDN01, DRDN010W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | GNM1M2R61C224ME18D | 0.22µF Isolated Capacitor 2 Array 16V X5R 0504 (1410 Metric) 0.054" L x 0.039" W (1.37mm x 1.00mm) | GNM1M2R61C224ME18D.pdf | |
![]() | CRCW121026R7FKEAHP | RES SMD 26.7 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121026R7FKEAHP.pdf | |
![]() | RT1206CRB0714R7L | RES SMD 14.7 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB0714R7L.pdf | |
![]() | SIGC08T60S | SIGC08T60S Infineon SMD or Through Hole | SIGC08T60S.pdf | |
![]() | TUA2009XS | TUA2009XS SIEMENS SMD24 | TUA2009XS.pdf | |
![]() | TMK212BJ224K | TMK212BJ224K TAIYO SMD or Through Hole | TMK212BJ224K.pdf | |
![]() | 49S-28.224M-20PF | 49S-28.224M-20PF ORIGINAL SMD | 49S-28.224M-20PF.pdf | |
![]() | MC100EP139DW | MC100EP139DW ORIGINAL SMD or Through Hole | MC100EP139DW.pdf | |
![]() | HSA6504RH | HSA6504RH HAR dip | HSA6504RH.pdf | |
![]() | PBY1608T-102Y-N | PBY1608T-102Y-N ORIGINAL SMD or Through Hole | PBY1608T-102Y-N.pdf | |
![]() | MT8206AG-BDSL | MT8206AG-BDSL M BGA | MT8206AG-BDSL.pdf | |
![]() | XC4062XLBG432CFN-9C | XC4062XLBG432CFN-9C N/A BGA | XC4062XLBG432CFN-9C.pdf |