창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DRA5114E0L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DRA5114E View All Specifications | |
주요제품 | Wearables Technology Components | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1485 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 150mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-85 | |
공급 장치 패키지 | SMini3-F2-B | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DRA5114E0LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DRA5114E0L | |
관련 링크 | DRA511, DRA5114E0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | MR041A102FAA | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR041A102FAA.pdf | |
![]() | 0239.200HXEP | FUSE GLASS 200MA 250VAC 5X20MM | 0239.200HXEP.pdf | |
![]() | CC8531RHAT | IC RF TxRx + MCU General ISM > 1GHZ 2.4GHz 40-VFQFN Exposed Pad | CC8531RHAT.pdf | |
![]() | LTS04N04KF5C | LTS04N04KF5C HONEYWELL SMD or Through Hole | LTS04N04KF5C.pdf | |
![]() | SN74LVC1G57YZPR | SN74LVC1G57YZPR TI SMD or Through Hole | SN74LVC1G57YZPR.pdf | |
![]() | HS1117-1.2 | HS1117-1.2 HS- TO223 | HS1117-1.2.pdf | |
![]() | 71800-228 | 71800-228 GPS CDIP40 | 71800-228.pdf | |
![]() | M37735MHL-103HP | M37735MHL-103HP MIT QFP | M37735MHL-103HP.pdf | |
![]() | S-80817ANN | S-80817ANN SEIKO SMD or Through Hole | S-80817ANN.pdf | |
![]() | 160R | 160R ORIGINAL 1206 | 160R.pdf | |
![]() | MAX5901ABUT(AAQQ) | MAX5901ABUT(AAQQ) MAX SOT23-6 | MAX5901ABUT(AAQQ).pdf | |
![]() | MOR | MOR Tfk SOT143R | MOR.pdf |