창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DRA -243R3S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DRA -243R3S | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DRA -243R3S | |
| 관련 링크 | DRA -2, DRA -243R3S 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385462085JKM2T0 | 0.62µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.591" W (31.50mm x 15.00mm) | MKP385462085JKM2T0.pdf | |
![]() | S5AC-13-F | DIODE GEN PURP 50V 5A SMC | S5AC-13-F.pdf | |
![]() | SK33-TP | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB | SK33-TP.pdf | |
| MPG06J-E3/53 | DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06 | MPG06J-E3/53.pdf | ||
![]() | PF0580.683NLT | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 410mA 827 mOhm Max Nonstandard | PF0580.683NLT.pdf | |
![]() | CSRN2010FTR180 | RES SMD 0.18 OHM 1% 1W 2010 | CSRN2010FTR180.pdf | |
![]() | AT20689 | AT20689 AT SOP | AT20689.pdf | |
![]() | LA18887F3 | LA18887F3 SANYO QFP | LA18887F3.pdf | |
![]() | K4F151611CTC50 | K4F151611CTC50 SAM TSOP2 | K4F151611CTC50.pdf | |
![]() | AL-HJB34A | AL-HJB34A A-BRIGHT ROHS | AL-HJB34A.pdf | |
![]() | LLV0603-FB2N2S | LLV0603-FB2N2S TOKO SMD or Through Hole | LLV0603-FB2N2S.pdf | |
![]() | 0533981290+ | 0533981290+ MOLEX SMD or Through Hole | 0533981290+.pdf |