창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DP50H600T1016xx | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DP50H600T1016xx | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DP50H600T1016xx | |
| 관련 링크 | DP50H600T, DP50H600T1016xx 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 226SVH6R3MCR | 22µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 22.61 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 226SVH6R3MCR.pdf | |
![]() | KMQ160VS222M35X35T2 | 2200µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 113 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | KMQ160VS222M35X35T2.pdf | |
![]() | SIT8208AI-2F-33E-19.200000Y | OSC XO 3.3V 19.2MHZ OE | SIT8208AI-2F-33E-19.200000Y.pdf | |
![]() | FQA8N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P | FQA8N90C_F109.pdf | |
![]() | RMCF0805FG86K6 | RES SMD 86.6K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FG86K6.pdf | |
![]() | DF1EG-8P-2.5DSA(05) | DF1EG-8P-2.5DSA(05) HIROSE SMD or Through Hole | DF1EG-8P-2.5DSA(05).pdf | |
![]() | LMTZJ10A | LMTZJ10A LRC DO-35 | LMTZJ10A.pdf | |
![]() | NT28F800B5TB70 | NT28F800B5TB70 INTEL TSOP | NT28F800B5TB70.pdf | |
![]() | M50442-529SP | M50442-529SP MITSUBISHI DIP | M50442-529SP.pdf | |
![]() | SN54C32J/TI | SN54C32J/TI TI SMD or Through Hole | SN54C32J/TI.pdf | |
![]() | 600F5R6CT200T | 600F5R6CT200T ATC SMD | 600F5R6CT200T.pdf |