Microchip Technology DN3765K4-G

DN3765K4-G
제조업체 부품 번호
DN3765K4-G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
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내부 부품 번호EIS-DN3765K4-G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DN3765
PCN 조립/원산지Fab Site Addition 14/Aug/2014
Fabrication Site Addition 06/Aug/2015
PCN 포장Label and Packing Changes 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microchip Technology
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징공핍 모드
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C300mA(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8옴 @ 150mA, 0V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds825pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252-3
표준 포장 2,000
다른 이름DN3765K4-G-ND
DN3765K4-GTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DN3765K4-G
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