창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DN3545N3-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DN3545 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 450V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 136mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20옴 @ 150mA, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 740mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92(TO-226) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DN3545N3-G | |
| 관련 링크 | DN3545, DN3545N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
| DD1274AS-H-5R6N=P3 | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 6.3A 18.3 mOhm Max Nonstandard | DD1274AS-H-5R6N=P3.pdf | ||
![]() | HT2801D | HT2801D HT DIP-8 | HT2801D.pdf | |
![]() | BFR182T/RG | BFR182T/RG PH SOT-23 | BFR182T/RG.pdf | |
![]() | CTCB1206F-221H | CTCB1206F-221H ctparts SMD | CTCB1206F-221H.pdf | |
![]() | HG62E11B90FS | HG62E11B90FS RENESAS SMD or Through Hole | HG62E11B90FS.pdf | |
![]() | CMR1U-06TR13 | CMR1U-06TR13 Centralsemi SMB | CMR1U-06TR13.pdf | |
![]() | 54FCT244LMQB | 54FCT244LMQB NS LCC | 54FCT244LMQB.pdf | |
![]() | QS5917T-132TJ. | QS5917T-132TJ. IDT PLCC-28 | QS5917T-132TJ..pdf | |
![]() | LA11870 | LA11870 SANYO SSOP48 | LA11870.pdf | |
![]() | PESD14A-0603 0.25P | PESD14A-0603 0.25P Semitel SMD or Through Hole | PESD14A-0603 0.25P.pdf | |
![]() | H5DU5162ETR-E3C/. | H5DU5162ETR-E3C/. HYNIX TSOP | H5DU5162ETR-E3C/..pdf | |
![]() | LQP10A1N8B02T1 | LQP10A1N8B02T1 MURATA SMD or Through Hole | LQP10A1N8B02T1.pdf |