창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DN3525N8-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DN3525 | |
| PCN 설계/사양 | Die Attach Material Update 26/Aug/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 Die Material/Assembly Site 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 360mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 200mA, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-243AA(SOT-89) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DN3525N8-G-ND DN3525N8-GTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DN3525N8-G | |
| 관련 링크 | DN3525, DN3525N8-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
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![]() | RNF18FTD34K8 | RES 34.8K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD34K8.pdf | |
![]() | P51-75-S-A-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-S-A-I12-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | IDT7015S12J | IDT7015S12J IDT PLCC | IDT7015S12J.pdf | |
![]() | LTC1323CS16-1#TRPBF | LTC1323CS16-1#TRPBF LT SOP16 | LTC1323CS16-1#TRPBF.pdf | |
![]() | STC12C5624AD | STC12C5624AD ORIGINAL SMD or Through Hole | STC12C5624AD.pdf | |
![]() | ST52T430K2B6 | ST52T430K2B6 sgs SMD or Through Hole | ST52T430K2B6.pdf | |
![]() | 7127A101KXBAC31 | 7127A101KXBAC31 VISHAY SMD or Through Hole | 7127A101KXBAC31.pdf | |
![]() | CENW13 | CENW13 Central TO-237 | CENW13.pdf | |
![]() | MH6111 E827 | MH6111 E827 MITSUBIS PLCC68 | MH6111 E827.pdf |