창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DN2530N3-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DN2530 | |
| PCN 설계/사양 | New DeviceDoc 26/Feb/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 175mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12옴 @ 150mA, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 740mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92(TO-226) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DN2530N3-G | |
| 관련 링크 | DN2530, DN2530N3-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | SMM02070C2003FBP00 | RES SMD 200K OHM 1% 1W MELF | SMM02070C2003FBP00.pdf | |
![]() | VT20C79-35PC | VT20C79-35PC ORIGINAL DIP | VT20C79-35PC.pdf | |
![]() | HY62T081ED70C | HY62T081ED70C HYUNDAI SOP | HY62T081ED70C.pdf | |
![]() | 0603CS-5N6XJBW | 0603CS-5N6XJBW COILCRAFT SMD or Through Hole | 0603CS-5N6XJBW.pdf | |
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![]() | DL04-28 | DL04-28 Shi SMD or Through Hole | DL04-28.pdf | |
![]() | AC50-1R5K-RC | AC50-1R5K-RC ALLIED NA | AC50-1R5K-RC.pdf | |
![]() | 76090-5001 | 76090-5001 MOLEX SMD or Through Hole | 76090-5001.pdf |