창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DN1V6R8M1S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DN1V6R8M1S | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DN1V6R8M1S | |
| 관련 링크 | DN1V6R, DN1V6R8M1S 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C1608JB1C335M080AC | 3.3µF 16V 세라믹 커패시터 JB 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608JB1C335M080AC.pdf | |
![]() | ECW-FD2W334JB | 0.33µF Film Capacitor 450V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.496" L x 0.220" W (12.60mm x 5.60mm) | ECW-FD2W334JB.pdf | |
![]() | MG064S09A200DP | VARISTOR 12.7V 30A 0612 | MG064S09A200DP.pdf | |
![]() | IXYX140N90C3 | IGBT 900V 310A 1630W TO247 | IXYX140N90C3.pdf | |
![]() | K6R1008V1BJI08 | K6R1008V1BJI08 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6R1008V1BJI08.pdf | |
![]() | BTS442E2SMD | BTS442E2SMD INFINEON SMD or Through Hole | BTS442E2SMD.pdf | |
![]() | LT1812IS5 NOPB | LT1812IS5 NOPB LT SOT153 | LT1812IS5 NOPB.pdf | |
![]() | PSB19F/08 | PSB19F/08 POWERSEM SMD or Through Hole | PSB19F/08.pdf | |
![]() | R22LV1015C | R22LV1015C XILINX TSSOP | R22LV1015C.pdf | |
![]() | 630V3UF (305) | 630V3UF (305) ORIGINAL SMD or Through Hole | 630V3UF (305).pdf | |
![]() | HD64F2258B21FAV | HD64F2258B21FAV RENESAS QFP | HD64F2258B21FAV.pdf |