창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMTH6009LK3-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMTH6009LK3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.2A(Ta), 59A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1925pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMTH6009LK3-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMTH6009LK3-13 | |
관련 링크 | DMTH6009, DMTH6009LK3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT9120AC-2D3-33E100.000000Y | OSC XO 3.3V 100MHZ | SIT9120AC-2D3-33E100.000000Y.pdf | |
![]() | 106-473G | 47µH Unshielded Inductor 70mA 19 Ohm Max 2-SMD | 106-473G.pdf | |
![]() | CPR1513R00KE10 | RES 13 OHM 15W 10% RADIAL | CPR1513R00KE10.pdf | |
![]() | JRC2901N | JRC2901N JRC DIP14 | JRC2901N.pdf | |
![]() | CXD9218GG | CXD9218GG SONY BGA | CXD9218GG.pdf | |
![]() | XC3042TM-100PQ100C | XC3042TM-100PQ100C XILINX QFP | XC3042TM-100PQ100C.pdf | |
![]() | KLI-5001E | KLI-5001E KODAK CCD | KLI-5001E.pdf | |
![]() | K4H511638G-LC/LCC | K4H511638G-LC/LCC SAMSUNG SMD | K4H511638G-LC/LCC.pdf | |
![]() | 43H2559 | 43H2559 ATMEL SMD or Through Hole | 43H2559.pdf | |
![]() | 216DECGBFA22E (Mobility M6-C32) | 216DECGBFA22E (Mobility M6-C32) ATi BGA | 216DECGBFA22E (Mobility M6-C32).pdf | |
![]() | HI-3584 | HI-3584 HOLTIC QFN64 | HI-3584.pdf | |
![]() | MMBT5770 | MMBT5770 FAIRCHILD SOT-23 | MMBT5770.pdf |