창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMTH6005LPSQ-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMTH6005LPSQ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.6A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2962pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMTH6005LPSQ-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMTH6005LPSQ-13 | |
| 관련 링크 | DMTH6005L, DMTH6005LPSQ-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | HN207CB | HN207CB ORIGINAL SO-24 | HN207CB.pdf | |
![]() | 807841R392 | 807841R392 SEIE SMD or Through Hole | 807841R392.pdf | |
![]() | REF3125AIDBZ | REF3125AIDBZ ORIGINAL SMD or Through Hole | REF3125AIDBZ.pdf | |
![]() | NTC-T336M4TRPF | NTC-T336M4TRPF NIC SMD or Through Hole | NTC-T336M4TRPF.pdf | |
![]() | S75WS128HDDBFWVZ | S75WS128HDDBFWVZ SPANSION BGA912 | S75WS128HDDBFWVZ.pdf | |
![]() | AD694JCHIPS | AD694JCHIPS AD SMD or Through Hole | AD694JCHIPS.pdf |