창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMTH4007SPS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMTH4007SPS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.7A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.6m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41.9nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2082pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMTH4007SPS-13-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMTH4007SPS-13 | |
| 관련 링크 | DMTH4007, DMTH4007SPS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C279C5GACTU | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C279C5GACTU.pdf | |
![]() | CT-L41DT30-1L-AA | CT-L41DT30-1L-AA CENILLI QFP | CT-L41DT30-1L-AA.pdf | |
![]() | B43415C8388A000 | B43415C8388A000 EPCOS SMD or Through Hole | B43415C8388A000.pdf | |
![]() | HC6031771P | HC6031771P Magnachip SMD or Through Hole | HC6031771P.pdf | |
![]() | RM0439E0FT | RM0439E0FT ORIGINAL SMD or Through Hole | RM0439E0FT.pdf | |
![]() | AD9878JSTZ | AD9878JSTZ AD QFP | AD9878JSTZ.pdf | |
![]() | NL252018T-R15K-N | NL252018T-R15K-N TDK SMD | NL252018T-R15K-N.pdf | |
![]() | 4965AGNMM1GN886224 | 4965AGNMM1GN886224 INTEL SMD or Through Hole | 4965AGNMM1GN886224.pdf | |
![]() | ATS646LSGTN | ATS646LSGTN ALLEGRO DIP-4 | ATS646LSGTN.pdf | |
![]() | MAX793TESE | MAX793TESE MAXIM SOP3.9 | MAX793TESE.pdf | |
![]() | NTE368 | NTE368 NTE SMD or Through Hole | NTE368.pdf | |
![]() | YF-TB08 | YF-TB08 YF SMD or Through Hole | YF-TB08.pdf |