홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMT6009LK3-13

Diodes Incorporated DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13
제조업체 부품 번호
DMT6009LK3-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMT6009LK3-13 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 409.20422
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMT6009LK3-13 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMT6009LK3-13 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMT6009LK3-13가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMT6009LK3-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMT6009LK3-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMT6009LK3-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMT6009LK3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C13.3A(Ta), 57A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs10m옴 @ 13.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs33.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1925pF @ 30V
전력 - 최대2.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252
표준 포장 2,500
다른 이름DMT6009LK3-13-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMT6009LK3-13
관련 링크DMT6009, DMT6009LK3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMT6009LK3-13 의 관련 제품
0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.080" W(1.27mm x 2.03mm) W2L1ZC104KAT1S.pdf
1.5SCMJ10CA CHENMKO SMC 1.5SCMJ10CA.pdf
LPD1768FBD100 NXP QFP-100 LPD1768FBD100.pdf
26T12B NELL TO-218 26T12B.pdf
HZ-16021 ORIGINAL SMD or Through Hole HZ-16021.pdf
RM14/I-3C94 FERROX SMD or Through Hole RM14/I-3C94.pdf
MT48H4M32LFB5-75 AT:K MICRON SMD or Through Hole MT48H4M32LFB5-75 AT:K.pdf
TVOO570002ADGB TOSHIBA BGA TVOO570002ADGB.pdf
WXD3590S-1-104 TRTMMER SMD or Through Hole WXD3590S-1-104.pdf
CMUT5401TR Centralsemi SOT-523 CMUT5401TR.pdf
RTL8306SC-LF RMC QFP RTL8306SC-LF.pdf