창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMT6008LFG-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMT6008LFG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50.4nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2713pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DMT6008LFG-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMT6008LFG-7 | |
| 관련 링크 | DMT6008, DMT6008LFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GQM1555C2D100FB01D | 10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D100FB01D.pdf | |
![]() | VJ0805D3R6BLXAP | 3.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R6BLXAP.pdf | |
![]() | CES-C7-07L | CES-C7-07L ORIGINAL SMD or Through Hole | CES-C7-07L.pdf | |
![]() | BU8307CS | BU8307CS RHOM DIP22 | BU8307CS.pdf | |
![]() | AISC-0402-68NK-T | AISC-0402-68NK-T Abracon NA | AISC-0402-68NK-T.pdf | |
![]() | LTST-C150KGKT(P,C) | LTST-C150KGKT(P,C) LITEONOPTOELECTRONICS ORIGINAL | LTST-C150KGKT(P,C).pdf | |
![]() | C5750X5R0J107M | C5750X5R0J107M TDK SMD | C5750X5R0J107M.pdf | |
![]() | CT8022A11BQC | CT8022A11BQC ORIGINAL SMD or Through Hole | CT8022A11BQC.pdf | |
![]() | MAX802M/L | MAX802M/L MAX DIP-8 | MAX802M/L.pdf | |
![]() | MIC5305-3.3BML | MIC5305-3.3BML MICREL MLF | MIC5305-3.3BML.pdf | |
![]() | MTS719 | MTS719 MSTAR QFP100 | MTS719.pdf | |
![]() | BU52013HFV-TR/HVSOF5 | BU52013HFV-TR/HVSOF5 ROHM HVSOF5 | BU52013HFV-TR/HVSOF5.pdf |