창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMT6007LFG-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMT6007LFG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta), 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2090pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 2.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMT6007LFG-13 | |
관련 링크 | DMT6007, DMT6007LFG-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RCH114NP-221KB | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 350 mOhm Max Radial | RCH114NP-221KB.pdf | |
![]() | AA1206FR-071M96L | RES SMD 1.96M OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-071M96L.pdf | |
![]() | ERJ-L12UF45MU | RES SMD 0.045 OHM 1% 1/2W 1812 | ERJ-L12UF45MU.pdf | |
4608X-AP1-101LF | RES ARRAY 7 RES 100 OHM 8SIP | 4608X-AP1-101LF.pdf | ||
![]() | MFC250A1600V | MFC250A1600V ORIGINAL SMD or Through Hole | MFC250A1600V.pdf | |
![]() | S6A2067X01-00 | S6A2067X01-00 SAMSUNG QFP | S6A2067X01-00.pdf | |
![]() | UT138E-4 | UT138E-4 UTC TO-220 | UT138E-4.pdf | |
![]() | ABM3H-A-L | ABM3H-A-L PANDUIT/WSI SMD or Through Hole | ABM3H-A-L.pdf | |
![]() | EC3A13 | EC3A13 CINCON SMD or Through Hole | EC3A13.pdf | |
![]() | 74HC5053D | 74HC5053D NXP SOP | 74HC5053D.pdf | |
![]() | PBM99080/22LGAR1A | PBM99080/22LGAR1A INFINEON SMD or Through Hole | PBM99080/22LGAR1A.pdf |