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Diodes Incorporated DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13
제조업체 부품 번호
DMT10H010LSS-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V SO-8
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내부 부품 번호EIS-DMT10H010LSS-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMT10H010LSS
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11.5A(Ta), 29.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9.5m옴 @ 13A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs71nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3000pF @ 50V
전력 - 최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMT10H010LSS-13
관련 링크DMT10H010, DMT10H010LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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