창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMT10H010LSS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMT10H010LSS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta), 29.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMT10H010LSS-13 | |
관련 링크 | DMT10H010, DMT10H010LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | MKP1839147633 | 470pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.197" Dia x 0.433" L (5.00mm x 11.00mm) | MKP1839147633.pdf | |
![]() | 416F27111CDR | 27.12MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27111CDR.pdf | |
![]() | NJM2364M | NJM2364M JRC TSSOP10 | NJM2364M.pdf | |
![]() | LF843 | LF843 NULL NULL | LF843.pdf | |
![]() | ST303C10CFJ0 | ST303C10CFJ0 IR MODULE | ST303C10CFJ0.pdf | |
![]() | NC7WZ25K8X | NC7WZ25K8X FAIRCHILD US8 | NC7WZ25K8X.pdf | |
![]() | F89P/153 | F89P/153 LEADCHIP SOT-153 | F89P/153.pdf | |
![]() | 2SC2712-GR LG | 2SC2712-GR LG TOSHIBA SOT-23 | 2SC2712-GR LG.pdf | |
![]() | GMT-3.5 | GMT-3.5 Bussmann SMD or Through Hole | GMT-3.5.pdf | |
![]() | K24C02-SITG-A | K24C02-SITG-A K-LINE N A | K24C02-SITG-A.pdf | |
![]() | CD103-221M | CD103-221M ORIGINAL SMD or Through Hole | CD103-221M.pdf | |
![]() | GMM73211000CS-60 | GMM73211000CS-60 LGS 72PIN | GMM73211000CS-60.pdf |