창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMS3014SFG-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMS3014SFG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 10.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4310pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DMS3014SFG-7DITR DMS3014SFG7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMS3014SFG-7 | |
| 관련 링크 | DMS3014, DMS3014SFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | MN1554L26 | MN1554L26 ORIGINAL DIP | MN1554L26.pdf | |
![]() | AAT2512IWP-IH-T1 | AAT2512IWP-IH-T1 ORIGINAL TDFN33-12 | AAT2512IWP-IH-T1.pdf | |
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![]() | UMK212FC04M-T | UMK212FC04M-T ORIGINAL SMD or Through Hole | UMK212FC04M-T.pdf | |
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![]() | 1232H | 1232H SAMSUNG BGA | 1232H.pdf | |
![]() | AD85510001RR | AD85510001RR AD SMD or Through Hole | AD85510001RR.pdf | |
![]() | 4814P-002-151 | 4814P-002-151 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4814P-002-151.pdf | |
![]() | ICS9212CF-02T | ICS9212CF-02T ICSI SMD or Through Hole | ICS9212CF-02T.pdf | |
![]() | 16SXV10M4X7 | 16SXV10M4X7 Rubycon DIP-2 | 16SXV10M4X7.pdf |