창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP6110SVT-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP6110SVT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 969pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DMP6110SVT-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP6110SVT-13 | |
| 관련 링크 | DMP6110, DMP6110SVT-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RB530VM-30TE-17 | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA UMD2 | RB530VM-30TE-17.pdf | |
![]() | VLF3012ST-150MR49 | 15µH Shielded Wirewound Inductor 490mA 490 mOhm Max Nonstandard | VLF3012ST-150MR49.pdf | |
![]() | RT0603BRB0735K7L | RES SMD 35.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB0735K7L.pdf | |
![]() | EXB-E10C153J | RES ARRAY 8 RES 15K OHM 1608 | EXB-E10C153J.pdf | |
![]() | HZU5.6B1TRF(5.6v) | HZU5.6B1TRF(5.6v) HITACHI SMD or Through Hole | HZU5.6B1TRF(5.6v).pdf | |
![]() | 432028104 | 432028104 MLX DIP | 432028104.pdf | |
![]() | MSCDRB-0403-1R0N | MSCDRB-0403-1R0N MAGLAYERS SMD | MSCDRB-0403-1R0N.pdf | |
![]() | ER3H SMC | ER3H SMC ORIGINAL SMD or Through Hole | ER3H SMC.pdf | |
![]() | MB43418, | MB43418, FUJITSU SMD-20 | MB43418,.pdf | |
![]() | BBY57-02W / 5 | BBY57-02W / 5 Infineon SOD-423 | BBY57-02W / 5.pdf | |
![]() | PIC16F76-I1SO | PIC16F76-I1SO MICROCHIP SOP-28 | PIC16F76-I1SO.pdf | |
![]() | K9F1608WOA-TBCO | K9F1608WOA-TBCO SAMSUNG TSOP | K9F1608WOA-TBCO.pdf |