창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP58D0SV-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP58D0SV | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| 카탈로그 페이지 | 1573 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 100mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 27pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMP58D0SV7 DMP58D0SVDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP58D0SV-7 | |
| 관련 링크 | DMP58D, DMP58D0SV-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | TNPU0603162RAZEN00 | RES SMD 162 OHM 0.05% 1/10W 0603 | TNPU0603162RAZEN00.pdf | |
![]() | TC57H1000AD-85 | TC57H1000AD-85 TOSHIBA CDIP32 | TC57H1000AD-85.pdf | |
![]() | 71342LA70J | 71342LA70J IDT PLCC | 71342LA70J.pdf | |
![]() | GP2D120X | GP2D120X SHARP SMD or Through Hole | GP2D120X.pdf | |
![]() | ATTINY2313-20SU/SI | ATTINY2313-20SU/SI ATMEL SOP-20 | ATTINY2313-20SU/SI.pdf | |
![]() | HA3354 | HA3354 ORIGINAL DIP-4 | HA3354.pdf | |
![]() | 6-102316-3 | 6-102316-3 TEConnectivity SMD or Through Hole | 6-102316-3.pdf | |
![]() | EKMV451VSN271MR35S | EKMV451VSN271MR35S Chemi-con NA | EKMV451VSN271MR35S.pdf | |
![]() | PR4101A | PR4101A PREMASEMICONDUCTO SMD or Through Hole | PR4101A.pdf |