창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMP56D0UFB-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMP56D0UFB | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 100mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.58nC(4V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50.54pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 425mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMP56D0UFB-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMP56D0UFB-7 | |
관련 링크 | DMP56D0, DMP56D0UFB-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | Q9854#54 | Q9854#54 AVAGO ZIP-4 | Q9854#54.pdf | |
![]() | ESRA160ETC470MF07N | ESRA160ETC470MF07N ORIGINAL SMD or Through Hole | ESRA160ETC470MF07N.pdf | |
![]() | LQH4N121J04M | LQH4N121J04M MURATA 1812-120UH | LQH4N121J04M.pdf | |
![]() | CRX0515P | CRX0515P TDK DIP-5 | CRX0515P.pdf | |
![]() | LM258ADE4 | LM258ADE4 TI SOIC | LM258ADE4.pdf |