창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP3056LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP3056LSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 722pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMP3056LSS-13-ND DMP3056LSS13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP3056LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMP3056, DMP3056LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 416F5001XCAR | 50MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F5001XCAR.pdf | |
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![]() | RT2010DKE0710K7L | RES SMD 10.7K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0710K7L.pdf | |
![]() | AP4513GD | AP4513GD AP SMD or Through Hole | AP4513GD.pdf | |
![]() | J24H/W | J24H/W ORIGINAL SMD or Through Hole | J24H/W.pdf | |
![]() | XC2VP50 5FF1152C | XC2VP50 5FF1152C ORIGINAL SMD or Through Hole | XC2VP50 5FF1152C.pdf | |
![]() | HCPL817-000E | HCPL817-000E AVAGO DIP | HCPL817-000E.pdf | |
![]() | UD869894-T-2 | UD869894-T-2 OMC SMD or Through Hole | UD869894-T-2.pdf | |
![]() | HJ0833 | HJ0833 ORIGINAL SOT89 | HJ0833.pdf | |
![]() | PRIXP420ABD 885159 | PRIXP420ABD 885159 Intel SMD or Through Hole | PRIXP420ABD 885159.pdf | |
![]() | TC5080P | TC5080P TOSHIBA DIP-16 | TC5080P.pdf |