창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMP21D5UFB4-7B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMP21D5UFB4 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 700mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 970m옴 @ 100mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 500nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 46.1pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMP21D5UFB4-7BDITR DMP21D5UFB47B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMP21D5UFB4-7B | |
관련 링크 | DMP21D5U, DMP21D5UFB4-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | BFC238366472 | 4700pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) | BFC238366472.pdf | |
![]() | 416F240XXCAT | 24MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F240XXCAT.pdf | |
![]() | SM6227FTR165 | RES SMD 0.165 OHM 1% 3W 6227 | SM6227FTR165.pdf | |
![]() | 43J50RE | RES 50 OHM 3W 5% AXIAL | 43J50RE.pdf | |
![]() | SFR25H0007500JR500 | RES 750 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR25H0007500JR500.pdf | |
![]() | MB3759P-G-JN | MB3759P-G-JN FUJ DIP16 | MB3759P-G-JN.pdf | |
![]() | NFM41CC221U2A3B | NFM41CC221U2A3B MURATA 2010 | NFM41CC221U2A3B.pdf | |
![]() | STUN512 | STUN512 EIC SMC | STUN512.pdf | |
![]() | 33PF50VNPOG | 33PF50VNPOG MRT SMD or Through Hole | 33PF50VNPOG.pdf | |
![]() | KM616V4002CTI-10 | KM616V4002CTI-10 SAMSUNG TSOP44 | KM616V4002CTI-10.pdf | |
![]() | 1C30X7R222K100B | 1C30X7R222K100B VISHAY DIP | 1C30X7R222K100B.pdf |