창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMP2130LDM-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMP2130LDM | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 23/May/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 Leadframe Material Update 09/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1573 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.25V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 443pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMP2130LDM7 DMP2130LDMDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMP2130LDM-7 | |
관련 링크 | DMP2130, DMP2130LDM-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | VP0610T-T1 | VP0610T-T1 SILICON SMD or Through Hole | VP0610T-T1.pdf | |
![]() | 74ACT573E | 74ACT573E MALAY DIP-20 | 74ACT573E.pdf | |
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![]() | HM2P09PD5110N9LF | HM2P09PD5110N9LF FCI SMD or Through Hole | HM2P09PD5110N9LF.pdf | |
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![]() | SDD-210 | SDD-210 ORIGINAL SMD or Through Hole | SDD-210.pdf | |
![]() | CXP83120A-023Q | CXP83120A-023Q Sony SMD or Through Hole | CXP83120A-023Q.pdf | |
![]() | 7614E | 7614E TI SSOP-20 | 7614E.pdf |