창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMP2066UFDE-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMP2066UFDE | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 4.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1537pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 660mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMP2066UFDE-7DITR DMP2066UFDE7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMP2066UFDE-7 | |
관련 링크 | DMP2066, DMP2066UFDE-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SR151A111JAA | 110pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151A111JAA.pdf | |
![]() | S1812-822J | 8.2µH Shielded Inductor 372mA 1.44 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-822J.pdf | |
![]() | F861AE152K310C | F861AE152K310C KEMET SMD or Through Hole | F861AE152K310C.pdf | |
![]() | MT6318/DY-L | MT6318/DY-L MTK BGA | MT6318/DY-L.pdf | |
![]() | BG=BE | BG=BE ORIGINAL QFN | BG=BE.pdf | |
![]() | PLW3216S900SQ2TM0-001 | PLW3216S900SQ2TM0-001 MURATA SMD or Through Hole | PLW3216S900SQ2TM0-001.pdf | |
![]() | 77175DAP | 77175DAP THERM SMD or Through Hole | 77175DAP.pdf | |
![]() | 2SK3568(Q,M) | 2SK3568(Q,M) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK3568(Q,M).pdf | |
![]() | IDT6116LA900 | IDT6116LA900 IDT CDIP24 | IDT6116LA900.pdf | |
![]() | SN74LS166J | SN74LS166J ORIGINAL SMD or Through Hole | SN74LS166J.pdf | |
![]() | L77TSEH09SOL2RM8 | L77TSEH09SOL2RM8 AMPHENOL SMD or Through Hole | L77TSEH09SOL2RM8.pdf | |
![]() | PBL3860A-1 | PBL3860A-1 ERICSSON SMD or Through Hole | PBL3860A-1.pdf |