창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP2008UFG-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP2008UFG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 54A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 12A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6909pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMP2008UFG-13DI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP2008UFG-13 | |
| 관련 링크 | DMP2008, DMP2008UFG-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | JJD0E807MSECBN | 800F Supercap 2.5V Radial, Can - Screw Terminals 13 mOhm 2000 Hrs @ 60°C 1.378" Dia (35.00mm) | JJD0E807MSECBN.pdf | |
![]() | SMBJ5.0ATR | TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB | SMBJ5.0ATR.pdf | |
![]() | 0603-432R | 0603-432R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-432R.pdf | |
![]() | ICRT25S48MOX | ICRT25S48MOX ORIGINAL SMD or Through Hole | ICRT25S48MOX.pdf | |
![]() | UMC4N-TR | UMC4N-TR ROHM SMD or Through Hole | UMC4N-TR.pdf | |
![]() | 6.8Z-DZD6.8Z-TA | 6.8Z-DZD6.8Z-TA TOSHIBA SOT23-3 | 6.8Z-DZD6.8Z-TA.pdf | |
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![]() | SB87C196JR20 | SB87C196JR20 Altera QFP | SB87C196JR20.pdf | |
![]() | LT1766EFE-5#PBF | LT1766EFE-5#PBF LINEAR TSSOP-16 | LT1766EFE-5#PBF.pdf | |
![]() | K8M800(CD) | K8M800(CD) VIA BGA | K8M800(CD).pdf | |
![]() | G4981 | G4981 ORIGINAL SOP8 | G4981.pdf | |
![]() | LNT2G822MSEJBN | LNT2G822MSEJBN NICHICON DIP | LNT2G822MSEJBN.pdf |