창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP2007UFG-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP2007UFG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4621pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DMP2007UFG-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP2007UFG-7 | |
| 관련 링크 | DMP2007, DMP2007UFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TMK063CG060DPGF | 6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | TMK063CG060DPGF.pdf | |
![]() | RMCF0805JT30R0 | RES SMD 30 OHM 5% 1/8W 0805 | RMCF0805JT30R0.pdf | |
![]() | 1MBC10D-060 | 1MBC10D-060 FUJI TO-220AB | 1MBC10D-060.pdf | |
![]() | FI-XB30SR-HF11-NPB-R3000 | FI-XB30SR-HF11-NPB-R3000 JAE SMD or Through Hole | FI-XB30SR-HF11-NPB-R3000.pdf | |
![]() | LT1709EG-9#TR | LT1709EG-9#TR LT SSOP36 | LT1709EG-9#TR.pdf | |
![]() | EMZ6.8E/6.8V | EMZ6.8E/6.8V ROHM SOT-563 | EMZ6.8E/6.8V.pdf | |
![]() | 3A5RN12-12 | 3A5RN12-12 ORIGINAL NA | 3A5RN12-12.pdf | |
![]() | FS10-10 | FS10-10 ORIGINAL TO-3P | FS10-10.pdf | |
![]() | XS618B4NAL2 | XS618B4NAL2 ORIGINAL SMD or Through Hole | XS618B4NAL2.pdf | |
![]() | AM29F010-150 | AM29F010-150 AMD PLCC32 | AM29F010-150.pdf | |
![]() | AR8500VC0-F-2905-080LG1-F1(AP32ALL-2) | AR8500VC0-F-2905-080LG1-F1(AP32ALL-2) GAPOLLO LQFP80 | AR8500VC0-F-2905-080LG1-F1(AP32ALL-2).pdf |