창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMP2006UFG-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMP2006UFG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.5A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 15A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5404pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DMP2006UFG-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMP2006UFG-7 | |
| 관련 링크 | DMP2006, DMP2006UFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TD-32.000MDE-T | 32MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TD-32.000MDE-T.pdf | |
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![]() | Y09251K60000B9L | RES 1.6K OHM 8W 0.1% TO220-2 | Y09251K60000B9L.pdf | |
![]() | BQ2083DBT-V1P2 | BQ2083DBT-V1P2 ORIGINAL SMD or Through Hole | BQ2083DBT-V1P2.pdf | |
![]() | TA05-04S-RL-GF | TA05-04S-RL-GF ORIGINAL SMD or Through Hole | TA05-04S-RL-GF.pdf | |
![]() | SAW04A0AS2A2BAW4240-1 | SAW04A0AS2A2BAW4240-1 SEOULSEMI SMD or Through Hole | SAW04A0AS2A2BAW4240-1.pdf | |
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![]() | M5M27C512A-10 | M5M27C512A-10 MIT DIP | M5M27C512A-10.pdf | |
![]() | STL7016-101A | STL7016-101A SAMSUNG SMD or Through Hole | STL7016-101A.pdf | |
![]() | AU1V156M0811M | AU1V156M0811M samwha DIP-2 | AU1V156M0811M.pdf | |
![]() | MMBT9012LT1G- | MMBT9012LT1G- ON/ONSemiconductor/ SOT-23 | MMBT9012LT1G-.pdf | |
![]() | CL31B684KBNE | CL31B684KBNE SAMSUNG SMD | CL31B684KBNE.pdf |