Diodes Incorporated DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13
제조업체 부품 번호
DMP10H4D2S-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
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내부 부품 번호EIS-DMP10H4D2S-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMP10H4D2S
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C270mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.2옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds87pF @ 25V
전력 - 최대380mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 10,000
다른 이름DMP10H4D2S-13DI
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)DMP10H4D2S-13
관련 링크DMP10H4, DMP10H4D2S-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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