창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMNH6012SPS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMNH6012SPS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1926pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMNH6012SPS-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMNH6012SPS-13 | |
| 관련 링크 | DMNH6012, DMNH6012SPS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| CSM1Z-A5B2C3-150-4.0D20 | 4MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | CSM1Z-A5B2C3-150-4.0D20.pdf | ||
![]() | K1300E70AP | SIDAC 120-138V 1A TO92 | K1300E70AP.pdf | |
![]() | CMF552K4000BHR6 | RES 2.4K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF552K4000BHR6.pdf | |
![]() | 0603C-18NJ | 0603C-18NJ ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603C-18NJ.pdf | |
![]() | 2SC1145 | 2SC1145 ORG TO-3 | 2SC1145.pdf | |
![]() | FQI5N90 | FQI5N90 ORIGINAL SMD or Through Hole | FQI5N90.pdf | |
![]() | 2SC5111FT-O | 2SC5111FT-O TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC5111FT-O.pdf | |
![]() | 8550(1.2A) | 8550(1.2A) ORIGINAL SMD or Through Hole | 8550(1.2A).pdf | |
![]() | 77311-101-36 | 77311-101-36 FCISINGAP NA | 77311-101-36.pdf | |
![]() | HC4K-H-DC12V | HC4K-H-DC12V NAIS SMD or Through Hole | HC4K-H-DC12V.pdf | |
![]() | M0436C KEMOTA | M0436C KEMOTA NEC SMD or Through Hole | M0436C KEMOTA.pdf | |
![]() | UPD74HC563GS-E2 | UPD74HC563GS-E2 NEC SOP20 | UPD74HC563GS-E2.pdf |