창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMNH10H028SPS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMNH10H028SPS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2245pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI5060-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMNH10H028SPS-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMNH10H028SPS-13 | |
| 관련 링크 | DMNH10H02, DMNH10H028SPS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TAJD336M020RSJ | 33µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD336M020RSJ.pdf | |
| AT-28.63636MDGE-T | 28.63636MHz ±20ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-28.63636MDGE-T.pdf | ||
![]() | ERJ-8BWJR033V | RES SMD 0.033 OHM 5% 1W 1206 | ERJ-8BWJR033V.pdf | |
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![]() | HD64DF3687FP | HD64DF3687FP HIT QFP64 | HD64DF3687FP.pdf | |
![]() | SLF7055T-3R3N | SLF7055T-3R3N TDK SMD | SLF7055T-3R3N.pdf | |
![]() | E-01 | E-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | E-01.pdf | |
![]() | GN1G-RTK | GN1G-RTK KEC SMA | GN1G-RTK.pdf | |
![]() | UPD17107GS-794-E1 | UPD17107GS-794-E1 NEC SOP16 | UPD17107GS-794-E1.pdf | |
![]() | T830-600BTR | T830-600BTR ST TO-252 | T830-600BTR.pdf | |
![]() | 24AA64-I/MS | 24AA64-I/MS MICROCHIP MSOP-8 | 24AA64-I/MS.pdf | |
![]() | RSS065N03 TB | RSS065N03 TB ROHM SOP | RSS065N03 TB.pdf |