창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN7022LFG-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN7022LFG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 7.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56.5nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2737pF @ 35V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN7022LFG-13 | |
| 관련 링크 | DMN7022, DMN7022LFG-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | AT89C51-24JL | AT89C51-24JL AT DIP | AT89C51-24JL.pdf | |
![]() | 0805-6.8P | 0805-6.8P ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805-6.8P.pdf | |
![]() | dt7201LA50P | dt7201LA50P IDT DIP28 | dt7201LA50P.pdf | |
![]() | TA80C186XL10 | TA80C186XL10 REI PGA | TA80C186XL10.pdf | |
![]() | 2SC3150M | 2SC3150M SANYON TO220 | 2SC3150M.pdf | |
![]() | 350558-4 | 350558-4 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 350558-4.pdf | |
![]() | QLMP-K178 | QLMP-K178 HP SMD or Through Hole | QLMP-K178.pdf | |
![]() | RFO-16V471MH3 | RFO-16V471MH3 ELNA DIP | RFO-16V471MH3.pdf | |
![]() | SY89322VMGTR | SY89322VMGTR MICREL SMD or Through Hole | SY89322VMGTR.pdf | |
![]() | SPT3316-3R3M | SPT3316-3R3M ORIGINAL SMD or Through Hole | SPT3316-3R3M.pdf | |
![]() | SS32-G | SS32-G Comchip DO-214AB | SS32-G.pdf |