창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN66D0LT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN66D0LT | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 115mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-523 | |
공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN66D0LT7 DMN66D0LTDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN66D0LT-7 | |
관련 링크 | DMN66D, DMN66D0LT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | PXV1220S-6DBN2-T02 | RF Attenuator 6dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-6DBN2-T02.pdf | |
![]() | LW356 | LW356 LEXIWAVE SOP-4 | LW356.pdf | |
![]() | AU7842 | AU7842 ORIGINAL SMD or Through Hole | AU7842.pdf | |
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![]() | M76K-A-SMD-B-G | M76K-A-SMD-B-G N/A SMD or Through Hole | M76K-A-SMD-B-G.pdf | |
![]() | US1GWT/R | US1GWT/R PANJIT SMA(W) | US1GWT/R.pdf | |
![]() | HT431 | HT431 HUATAI SMD or Through Hole | HT431.pdf | |
![]() | JWM11RA2H/UCV | JWM11RA2H/UCV NKKSwitches SMD or Through Hole | JWM11RA2H/UCV.pdf |