창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN65D8LW-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN65D8LW | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 115mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.87nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 22pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN65D8LW-7DITR DMN65D8LW7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN65D8LW-7 | |
| 관련 링크 | DMN65D, DMN65D8LW-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 416F380X3CDR | 38MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X3CDR.pdf | |
![]() | PS2561A-1-A | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | PS2561A-1-A.pdf | |
![]() | ERJ-A1CJR015U | RES SMD 0.015OHM 1.33W 2512 WIDE | ERJ-A1CJR015U.pdf | |
![]() | FM3R NOIR | FM3R NOIR NEXANS Call | FM3R NOIR.pdf | |
![]() | CC0805 223K 50VY | CC0805 223K 50VY ORIGINAL SMD or Through Hole | CC0805 223K 50VY.pdf | |
![]() | LG36256AML-10 | LG36256AML-10 SANYO SOP28 | LG36256AML-10.pdf | |
![]() | ATIC21C1(A2C37376) | ATIC21C1(A2C37376) Infineon SMD36 | ATIC21C1(A2C37376).pdf | |
![]() | 1825-0265 L-HP4375A2 | 1825-0265 L-HP4375A2 HP BGA | 1825-0265 L-HP4375A2.pdf | |
![]() | 09356848-001 | 09356848-001 MOT PLCC52 | 09356848-001.pdf | |
![]() | PS9214-V-F4-A | PS9214-V-F4-A NEC SOIC-5 | PS9214-V-F4-A.pdf |