창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN63D8LW-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN63D8LW | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 380mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8옴 @ 250mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23.2pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN63D8LW-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN63D8LW-7 | |
| 관련 링크 | DMN63D, DMN63D8LW-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RT0603DRE0748R7L | RES SMD 48.7 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0748R7L.pdf | |
![]() | YC324-FK-0721K5L | RES ARRAY 4 RES 21.5K OHM 2012 | YC324-FK-0721K5L.pdf | |
![]() | 312A5938P4 | 312A5938P4 INTERSIL QFP48 | 312A5938P4.pdf | |
![]() | LN1134B285M | LN1134B285M LN SMD or Through Hole | LN1134B285M.pdf | |
![]() | TCXO-5DTM-16.38400MHZ | TCXO-5DTM-16.38400MHZ SIWARD SMD or Through Hole | TCXO-5DTM-16.38400MHZ.pdf | |
![]() | TSB3055 | TSB3055 ORIGINAL TO-3P | TSB3055.pdf | |
![]() | L0566EBL3-70G-A3 | L0566EBL3-70G-A3 CREE ROHS | L0566EBL3-70G-A3.pdf | |
![]() | AFF9-40-S-G-3.2 | AFF9-40-S-G-3.2 ORIGINAL SMD or Through Hole | AFF9-40-S-G-3.2.pdf | |
![]() | SD1C226M05011NA180 | SD1C226M05011NA180 SAMWHA SMD or Through Hole | SD1C226M05011NA180.pdf | |
![]() | RM06FTN2432 | RM06FTN2432 TA-I SMD or Through Hole | RM06FTN2432.pdf | |
![]() | TEA1095TS/C2,518 | TEA1095TS/C2,518 NXP TEA1095TS SSOP24 REE | TEA1095TS/C2,518.pdf |