창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN63D1LDW-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN63D1LDW | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 30pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 310mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN63D1LDW-7 | |
| 관련 링크 | DMN63D1, DMN63D1LDW-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SQCB2M331FAJWE | 330pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB2M331FAJWE.pdf | |
![]() | G916-120T1UF G916 | G916-120T1UF G916 GMT 2011 | G916-120T1UF G916.pdf | |
![]() | TS555 ST | TS555 ST ORIGINAL SMD or Through Hole | TS555 ST.pdf | |
![]() | TSM155TP | TSM155TP ORIGINAL SMD or Through Hole | TSM155TP.pdf | |
![]() | LV8086T | LV8086T SANYO TSSOP24 | LV8086T.pdf | |
![]() | 565B | 565B D/C DIP | 565B.pdf | |
![]() | BL2-50D5TT-020U | BL2-50D5TT-020U MPEGARRY SMD or Through Hole | BL2-50D5TT-020U.pdf | |
![]() | CY54FCT245 | CY54FCT245 CYPRESS CDIP | CY54FCT245.pdf | |
![]() | MAX1724EIK | MAX1724EIK MAXIM SOT-23 | MAX1724EIK.pdf | |
![]() | MG802C256L-10 | MG802C256L-10 MOSYS TQFP100 | MG802C256L-10.pdf | |
![]() | ES1GF | ES1GF PANJIT SMAF | ES1GF.pdf | |
![]() | SSM3J16FVTL3AP | SSM3J16FVTL3AP TOSHIBA SMD or Through Hole | SSM3J16FVTL3AP.pdf |