창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN63D0LT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN63D0LT-7DI DMN63D0LT-7DI-ND DMN63D0LT-7DITR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN63D0LT-7 | |
| 관련 링크 | DMN63D, DMN63D0LT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | B32912A4333M | 0.033µF Film Capacitor 440V Polypropylene (PP), Metallized Radial | B32912A4333M.pdf | |
![]() | 26PCCFA3G | Pressure Sensor ±15 PSI (±103.42 kPa) Compound Male - 0.2" (5.08mm) Tube 0 mV ~ 100 mV (10V) 4-SIP Module | 26PCCFA3G.pdf | |
![]() | P51-200-G-R-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - M12 x 1.0 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-G-R-MD-5V-000-000.pdf | |
![]() | A2s | A2s ORIGINAL SOT23 | A2s.pdf | |
![]() | RKZ6.8Z4KT | RKZ6.8Z4KT RENESAS SOT-353 | RKZ6.8Z4KT.pdf | |
![]() | J255 | J255 SANYO TO-220F | J255.pdf | |
![]() | 216DCJDAFA22E | 216DCJDAFA22E ATI BGA | 216DCJDAFA22E.pdf | |
![]() | 216MPA4AKA22HK/RS480M/200M | 216MPA4AKA22HK/RS480M/200M ATI BGA | 216MPA4AKA22HK/RS480M/200M.pdf | |
![]() | 5203YD | 5203YD SuperBright 2010 | 5203YD.pdf | |
![]() | TCD21E1E684MT | TCD21E1E684MT Chemi-conNipponF SMD or Through Hole | TCD21E1E684MT.pdf | |
![]() | SHWE1117 | SHWE1117 MALAYSIA DIP | SHWE1117.pdf |