창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN62D1SFB-7B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN62D1SFB | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 410mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 40mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 80pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 470mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DMN62D1SFB-7BDI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN62D1SFB-7B | |
| 관련 링크 | DMN62D1, DMN62D1SFB-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D270KLCAC | 27pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D270KLCAC.pdf | |
![]() | GRM1555C1H2R0WZ01D | 2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H2R0WZ01D.pdf | |
![]() | 0494.500NR | FUSE BOARD MOUNT 500MA 32VAC/VDC | 0494.500NR.pdf | |
![]() | STD1862Y/2A 30V | STD1862Y/2A 30V AUK TO-92 | STD1862Y/2A 30V.pdf | |
![]() | 511910500 | 511910500 MOLEX n a | 511910500.pdf | |
![]() | EC50117BAF | EC50117BAF ORIGINAL SMD or Through Hole | EC50117BAF.pdf | |
![]() | GL128N11FIS4 | GL128N11FIS4 SPANSION BGA | GL128N11FIS4.pdf | |
![]() | DS110-07A | DS110-07A ORIGINAL SMD or Through Hole | DS110-07A.pdf | |
![]() | KTB1469. | KTB1469. KEC TO-220 | KTB1469..pdf | |
![]() | LTA400HM07 | LTA400HM07 Samsung SMD or Through Hole | LTA400HM07.pdf | |
![]() | TFM-1003N | TFM-1003N TELETRADE DIP-42 | TFM-1003N.pdf | |
![]() | AXK750945AC1 | AXK750945AC1 NAIS 3KR | AXK750945AC1.pdf |