창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN62D1LFD-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN62D1LFD | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 400mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 100mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.55nC @ 4.5V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 36pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-UDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-X1DFN1212 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN62D1LFD-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN62D1LFD-7 | |
관련 링크 | DMN62D1, DMN62D1LFD-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001DL1-012.5000 | 12.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001DL1-012.5000.pdf | |
![]() | RT0603BRB075K6L | RES SMD 5.6K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB075K6L.pdf | |
![]() | Y1624900R000T9R | RES SMD 900 OHM 0.01% 1/5W 0805 | Y1624900R000T9R.pdf | |
![]() | K9F2808UOA | K9F2808UOA SAMSUNG TSOP48 | K9F2808UOA.pdf | |
![]() | OP2177ARZ (LF) | OP2177ARZ (LF) ADI SMD or Through Hole | OP2177ARZ (LF).pdf | |
![]() | CLP-4Q4 | CLP-4Q4 ORIGINAL SMD or Through Hole | CLP-4Q4.pdf | |
![]() | TFL0510-3N9-M | TFL0510-3N9-M SUSUMU SMD or Through Hole | TFL0510-3N9-M.pdf | |
![]() | 25256ANS127 | 25256ANS127 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25256ANS127.pdf | |
![]() | SST89V564-33-C-TQJ | SST89V564-33-C-TQJ SST QFP-44P | SST89V564-33-C-TQJ.pdf | |
![]() | RN2105(TE85L) | RN2105(TE85L) TOSHIBA SOT23 | RN2105(TE85L).pdf | |
![]() | QG82945GZ SL927 | QG82945GZ SL927 ORIGINAL BGA | QG82945GZ SL927.pdf | |
![]() | K06/463 | K06/463 ROHM SOT-463 | K06/463.pdf |