창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN62D0UW-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN62D0UW | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 340mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 100mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 32pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 320mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMN62D0UW-13DI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN62D0UW-13 | |
관련 링크 | DMN62D0, DMN62D0UW-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | IDCP3020ER391M | 390µH Unshielded Wirewound Inductor 360mA 1.77 Ohm Max Nonstandard | IDCP3020ER391M.pdf | |
![]() | RSF100JB-73-75R | RES 75 OHM 1W 5% AXIAL | RSF100JB-73-75R.pdf | |
![]() | B43455S9478M2 | B43455S9478M2 EPCOS SMD or Through Hole | B43455S9478M2.pdf | |
![]() | GS43-6R8 | GS43-6R8 ICE NA | GS43-6R8.pdf | |
![]() | TEPSLA0G106M | TEPSLA0G106M NEC SMD | TEPSLA0G106M.pdf | |
![]() | GEFORCEFXGO5200 | GEFORCEFXGO5200 NVIDIA BGA | GEFORCEFXGO5200.pdf | |
![]() | Z57F | Z57F ORIGINAL SOT23-6 | Z57F.pdf | |
![]() | LM25037MT/NOPB | LM25037MT/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM25037MT/NOPB.pdf | |
![]() | ISC-1812RQ5R6J | ISC-1812RQ5R6J VISHAY SMD or Through Hole | ISC-1812RQ5R6J.pdf | |
![]() | ESR40 | ESR40 BURND SMD or Through Hole | ESR40.pdf | |
![]() | SE5218-3.0V | SE5218-3.0V SEI SMD or Through Hole | SE5218-3.0V.pdf |