창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN62D0UDW-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN62D0UDW | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 100mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 32pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 320mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMN62D0UDW-13DI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN62D0UDW-13 | |
관련 링크 | DMN62D0, DMN62D0UDW-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VJ1808A680KBHAT4X | 68pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A680KBHAT4X.pdf | |
![]() | WF125420WN76236BJ1 | 7600pF 18000V(18kV) 세라믹 커패시터 비표준, 스크루 단자 5.787" Dia(148.00mm) | WF125420WN76236BJ1.pdf | |
![]() | MMBTA56LT3 | MMBTA56LT3 mot SMD or Through Hole | MMBTA56LT3.pdf | |
![]() | R-302-031-1022-0000 | R-302-031-1022-0000 NEXTRON SMD or Through Hole | R-302-031-1022-0000.pdf | |
![]() | 55288 | 55288 MURR null | 55288.pdf | |
![]() | 3727ER-T2 | 3727ER-T2 SONY QFN32 | 3727ER-T2.pdf | |
![]() | XTLV320AD12 | XTLV320AD12 TI TQFP100 | XTLV320AD12.pdf | |
![]() | 1065110 | 1065110 ORIGINAL TSSOP20 | 1065110.pdf | |
![]() | IDT75S10020A.B | IDT75S10020A.B ORIGINAL SMD or Through Hole | IDT75S10020A.B.pdf | |
![]() | MC08E000FN10 | MC08E000FN10 MOTO SMD or Through Hole | MC08E000FN10.pdf | |
![]() | BZX79C30 | BZX79C30 ph SMD or Through Hole | BZX79C30.pdf | |
![]() | C69540Y=SIM-135-2R | C69540Y=SIM-135-2R SAM SMD or Through Hole | C69540Y=SIM-135-2R.pdf |