창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN62D0LFD-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN62D0LFD | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 310mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 100mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 500nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 31pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-UDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-X1DFN1212 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN62D0LFD-7DITR DMN62D0LFD-7TR DMN62D0LFD-7TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN62D0LFD-7 | |
| 관련 링크 | DMN62D0, DMN62D0LFD-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| UPM1J100MDD1TA | 10µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPM1J100MDD1TA.pdf | ||
![]() | CDPH4D19FNP-470MC | 47µH Shielded Inductor 1.03A 293 mOhm Max Nonstandard | CDPH4D19FNP-470MC.pdf | |
![]() | SASP100M24AD | SS TIMR ON DLY, 100M ADJ, 24VAC/ | SASP100M24AD.pdf | |
![]() | AA1206FR-076K8L | RES SMD 6.8K OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-076K8L.pdf | |
![]() | AT0805BRD0775KL | RES SMD 75K OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD0775KL.pdf | |
![]() | HZU2.4BTRF-E | HZU2.4BTRF-E HITACHI SMD or Through Hole | HZU2.4BTRF-E.pdf | |
![]() | TSC80251G2D-24CED | TSC80251G2D-24CED SILICON QFP | TSC80251G2D-24CED.pdf | |
![]() | BA50BC0FPE2 | BA50BC0FPE2 ROHM SMD or Through Hole | BA50BC0FPE2.pdf | |
![]() | F620 | F620 IR TO-220 | F620.pdf | |
![]() | MAX17061ETI+TR | MAX17061ETI+TR MAXIM QFN | MAX17061ETI+TR.pdf | |
![]() | STC072T000 | STC072T000 SAURO SMD or Through Hole | STC072T000.pdf | |
![]() | MC1391P /MOT | MC1391P /MOT MOTOROLA DIP-8 | MC1391P /MOT.pdf |