Diodes Incorporated DMN62D0LFD-7
- 제조업체 부품 번호
- DMN62D0LFD-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
DMN62D0LFD-7 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 42.24243
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 DMN62D0LFD-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN62D0LFD-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN62D0LFD-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- DMN62D0LFD-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN62D0LFD-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN62D0LFD-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN62D0LFD | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 310mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 100mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 500nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 31pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-UDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-X1DFN1212 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN62D0LFD-7DITR DMN62D0LFD-7TR DMN62D0LFD-7TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN62D0LFD-7 | |
| 관련 링크 | DMN62D0, DMN62D0LFD-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
DMN62D0LFD-7 의 관련 제품
 | 04025A4R7CAT2A | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A4R7CAT2A.pdf | |
 | F339MX231531JCI2B0 | 0.015µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | F339MX231531JCI2B0.pdf | |
 | 0805L010YR | PTC RESET 15V .100A SMD 0805 | 0805L010YR.pdf | |
 | P6KE11CA-E3/54 | TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC DO204AC | P6KE11CA-E3/54.pdf | |
 | MLG0603P4N7HTD25 | 4.7nH Unshielded Multilayer Inductor 350mA 400 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P4N7HTD25.pdf | |
 | IMC1210EBR82M | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 670 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EBR82M.pdf | |
 | CMF5516R900DHEK | RES 16.9 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5516R900DHEK.pdf | |
| UPD780053GC-149-8BT | UPD780053GC-149-8BT NEC QFP | UPD780053GC-149-8BT.pdf | |
| UPD65050GF-126 | UPD65050GF-126 NEC QFP | UPD65050GF-126.pdf | |
| MC3372P. | MC3372P. ORIGINAL SMD or Through Hole | MC3372P..pdf | |
| S2N3499 | S2N3499 MICROSEMI SMD | S2N3499.pdf | |
| OPA2350UAG4 | OPA2350UAG4 TI NL | OPA2350UAG4.pdf |