창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN6140L-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN6140L | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 1.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 315pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN6140L-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN6140L-7 | |
관련 링크 | DMN614, DMN6140L-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | AA0402JR-07110RL | RES SMD 110 OHM 5% 1/16W 0402 | AA0402JR-07110RL.pdf | |
![]() | Y17452K00000A9L | RES SMD 2K OHM 0.05% 1/4W J LEAD | Y17452K00000A9L.pdf | |
![]() | AMS1118-2.5 | AMS1118-2.5 ORIGINAL TO-223 | AMS1118-2.5.pdf | |
![]() | HWD1472 | HWD1472 ORIGINAL DIP14 | HWD1472.pdf | |
![]() | W332M64V-XSBX | W332M64V-XSBX WEDC 208PBGA | W332M64V-XSBX.pdf | |
![]() | 29671DC | 29671DC Raytheon CDIP24 | 29671DC.pdf | |
![]() | XCR5064-10C | XCR5064-10C XILINX PLCC84 | XCR5064-10C.pdf | |
![]() | LT0383-41-850 | LT0383-41-850 LEDTECH ROHS | LT0383-41-850.pdf | |
![]() | MMI3M28575 | MMI3M28575 MAXIM TSSOP-16 | MMI3M28575.pdf | |
![]() | 81N30-P-AB3-E-R | 81N30-P-AB3-E-R UTC SOT89-3 | 81N30-P-AB3-E-R.pdf | |
![]() | LQH55DN151M03D | LQH55DN151M03D MURATA SMD | LQH55DN151M03D.pdf | |
![]() | GRM1851X1H151JZ13B | GRM1851X1H151JZ13B MURATA SMD | GRM1851X1H151JZ13B.pdf |