창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN6070SFCL-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN6070SFCL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 606pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-PowerUFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | X1-DFN1616-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN6070SFCL-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN6070SFCL-7 | |
| 관련 링크 | DMN6070, DMN6070SFCL-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1808A100KBHAT4X | 10pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A100KBHAT4X.pdf | |
![]() | 1N5236C-TAP | DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 | 1N5236C-TAP.pdf | |
![]() | 1210B473K501NT | 1210B473K501NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210B473K501NT.pdf | |
![]() | NN1-24S24S | NN1-24S24S SANGMEI SIP | NN1-24S24S.pdf | |
![]() | QM3001K | QM3001K UBIQ SOT23 | QM3001K.pdf | |
![]() | 2BD5-PR06 | 2BD5-PR06 AGILENT BGA | 2BD5-PR06.pdf | |
![]() | ME4416 | ME4416 ME/ SMD or Through Hole | ME4416.pdf | |
![]() | TDA8552TS/N1118 | TDA8552TS/N1118 NXP SMD or Through Hole | TDA8552TS/N1118.pdf | |
![]() | THC63LVDM83 LVDS | THC63LVDM83 LVDS THINE SMD or Through Hole | THC63LVDM83 LVDS.pdf | |
![]() | F34-05P | F34-05P ORIGINAL SMD or Through Hole | F34-05P.pdf | |
![]() | BL-HG0H036J-TRB | BL-HG0H036J-TRB ORIGINAL SMD or Through Hole | BL-HG0H036J-TRB.pdf | |
![]() | 1206N150J500LT | 1206N150J500LT WALSIN SMD | 1206N150J500LT.pdf |