창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN6070SFCL-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN6070SFCL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 606pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-PowerUFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | X1-DFN1616-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN6070SFCL-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN6070SFCL-7 | |
| 관련 링크 | DMN6070, DMN6070SFCL-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 7A-14.7456MBBK-T | 14.7456MHz ±50ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-14.7456MBBK-T.pdf | |
![]() | TISP7150F3S | TISP7150F3S bourns ZIP3 | TISP7150F3S.pdf | |
![]() | 145805070001829+ | 145805070001829+ KYOCERA SMD | 145805070001829+.pdf | |
![]() | LM4680SDX/NOPB | LM4680SDX/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM4680SDX/NOPB.pdf | |
![]() | MLF2012K560K | MLF2012K560K TDK 08054K | MLF2012K560K.pdf | |
![]() | LT3505EDDPBF | LT3505EDDPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT3505EDDPBF.pdf | |
![]() | 0603E682M500NT | 0603E682M500NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603E682M500NT.pdf | |
![]() | AF82801JD-SLG8T | AF82801JD-SLG8T INTEL SMD or Through Hole | AF82801JD-SLG8T.pdf | |
![]() | BZX84J-C24 | BZX84J-C24 NXPSEMI SMD or Through Hole | BZX84J-C24.pdf | |
![]() | ESD8V0L2B-0 | ESD8V0L2B-0 INFINEON SMD or Through Hole | ESD8V0L2B-0.pdf | |
![]() | AD849TQ | AD849TQ AD DIP | AD849TQ.pdf | |
![]() | MAZ8047H 4.7V | MAZ8047H 4.7V Panasonic SOD323 | MAZ8047H 4.7V.pdf |