창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN6068SE-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN6068SE | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1469 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 68m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 502pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | DMN6068SE-13TR DMN6068SE13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN6068SE-13 | |
관련 링크 | DMN6068, DMN6068SE-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT9121AC-2C2-33E44.000000T | OSC XO 3.3V 44MHZ | SIT9121AC-2C2-33E44.000000T.pdf | |
![]() | MS46SR-14-435-Q1-10X-10R-NC-FN | SYSTEM | MS46SR-14-435-Q1-10X-10R-NC-FN.pdf | |
![]() | D65005C023 | D65005C023 NEC DIP | D65005C023.pdf | |
![]() | BZX84C5V10W3 TEL:82766440 | BZX84C5V10W3 TEL:82766440 ON SMD or Through Hole | BZX84C5V10W3 TEL:82766440.pdf | |
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![]() | 0402CG430J9B200 | 0402CG430J9B200 PHILIPS 0402 43PF J | 0402CG430J9B200.pdf | |
![]() | APC93011E-2 | APC93011E-2 ORIGINAL SOP16 | APC93011E-2.pdf | |
![]() | M51479SP | M51479SP MIT DIP | M51479SP.pdf |