창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN6040SVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN6040SVT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 4.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1287pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN6040SVT-7DITR DMN6040SVT7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN6040SVT-7 | |
| 관련 링크 | DMN6040, DMN6040SVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-2GEJ124X | RES SMD 120K OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ124X.pdf | |
![]() | RCP2512W270RJEA | RES SMD 270 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W270RJEA.pdf | |
![]() | M238872DN | M238872DN MPS SOP8 | M238872DN.pdf | |
![]() | VN896 (CD) | VN896 (CD) VIN BGA | VN896 (CD).pdf | |
![]() | MSM32R0050-521GS | MSM32R0050-521GS OKI QFP | MSM32R0050-521GS.pdf | |
![]() | CY14B256P2 | CY14B256P2 Cypress SMD or Through Hole | CY14B256P2.pdf | |
![]() | 74HC257D/3.9 | 74HC257D/3.9 PHILIPS SMD or Through Hole | 74HC257D/3.9.pdf | |
![]() | HY5DU283222-36 | HY5DU283222-36 HYNIX BGA | HY5DU283222-36.pdf | |
![]() | IW1690-05-D | IW1690-05-D IWATT SOP8 | IW1690-05-D.pdf | |
![]() | MAX3223CPWG4 | MAX3223CPWG4 TI SMD or Through Hole | MAX3223CPWG4.pdf | |
![]() | 1C30C0G221J050B | 1C30C0G221J050B VISHAY DIP | 1C30C0G221J050B.pdf | |
![]() | KM44V400CS | KM44V400CS N/A NC | KM44V400CS.pdf |