창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN6040SVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN6040SVT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 4.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1287pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN6040SVT-7DITR DMN6040SVT7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN6040SVT-7 | |
| 관련 링크 | DMN6040, DMN6040SVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | E91F351VND182MBA0T | 1800µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 55 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | E91F351VND182MBA0T.pdf | |
![]() | TNPW06034K42BEEN | RES SMD 4.42KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06034K42BEEN.pdf | |
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![]() | MB04-1110QEQGC | MB04-1110QEQGC HI-LIGHT SMD | MB04-1110QEQGC.pdf | |
![]() | 1K/0805 | 1K/0805 N/A SMD or Through Hole | 1K/0805.pdf | |
![]() | FXGO5700-V | FXGO5700-V NVIDIA BGA | FXGO5700-V.pdf | |
![]() | DF9MA-41P-1V | DF9MA-41P-1V HRS SMD or Through Hole | DF9MA-41P-1V.pdf | |
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![]() | 1206 154 K 50V | 1206 154 K 50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206 154 K 50V.pdf | |
![]() | B095BV60 034D | B095BV60 034D ORIGINAL QFP | B095BV60 034D.pdf | |
![]() | MHC4516S600WB | MHC4516S600WB INPAQ SMD | MHC4516S600WB.pdf | |
![]() | 401CNQ045PBF | 401CNQ045PBF VISHAY SMD or Through Hole | 401CNQ045PBF.pdf |