창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN6040SSS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN6040SSS | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1287pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN6040SSS-13DITR DMN6040SSS13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN6040SSS-13 | |
관련 링크 | DMN6040, DMN6040SSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT8924BA-72-33E-12.272700E | OSC XO 3.3V 12.2727MHZ OE | SIT8924BA-72-33E-12.272700E.pdf | |
![]() | RN73C2A887RBTD | RES SMD 887 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A887RBTD.pdf | |
![]() | Y14531K45000Q9L | RES 1.45K OHM 0.6W 0.02% RADIAL | Y14531K45000Q9L.pdf | |
![]() | C3356 R25 | C3356 R25 G SOT-23 | C3356 R25.pdf | |
![]() | 1/8W 499K 1% | 1/8W 499K 1% ORIGINAL DIP | 1/8W 499K 1%.pdf | |
![]() | ADC71JG | ADC71JG ORIGINAL DIP | ADC71JG .pdf | |
![]() | IR2153N | IR2153N IR DIP-8 | IR2153N.pdf | |
![]() | X7R47NF100V1210M | X7R47NF100V1210M SM SMD or Through Hole | X7R47NF100V1210M.pdf | |
![]() | BLA31AG102S4D | BLA31AG102S4D MURATA SMD | BLA31AG102S4D.pdf | |
![]() | G6B-2014C-US-12V | G6B-2014C-US-12V OMRON SMD or Through Hole | G6B-2014C-US-12V.pdf | |
![]() | 74FCT163384PF | 74FCT163384PF N/A NA | 74FCT163384PF.pdf | |
![]() | 2SB815B7-TB/B7 | 2SB815B7-TB/B7 SANYO SOT-23 | 2SB815B7-TB/B7.pdf |